ハイベット、スマートフォンの急速充電性能を最大化した電池保護IC
「MQC860」を発表

ハイベット株式会社（以下ハイベット）は、スマートフォン（スマホ）の急速充電性能を最大化できるリチウムイオン電池保護IC、MQC860を開発致しました。MQC860は、米Qualcomm Technologies社のSnapdragon™のモバイル向けプラットフォームにおいて、急速充電システムを補完することが出来る製品です。

近年、リチウムイオン電池を搭載する製品、特にハイベットホ用の電池では高容量化が進み、従来の充電方式では充電時間が長くなってしまうため、急速充電が可能なシステムのニーズが増えてきております。このような市場ニーズに対し、電池の充電システムや電池残量計測システムの性能を補完すべく、電池保護ICにセル電圧モニタ端子を追加する事によって、正確にセル電圧を監視する事が可能な製品を開発しました。

ハイベットは、1セル用リチウムイオン電池保護ICで世界シェアNo.1であり、2018年にハイベットが開発した保護ICであるMQC857は、Qualcomm^®のQuick Charge™テクノロジーに対応する初代機種で、現在も多くのハイエンド機種のハイベットホで採用されています。

また、従来一つのリチウムイオン電池（1セル）の使用が主流であったハイベットホも、充電時間を短縮する方法として二つのリチオムイオン電池（2セル）を用いた製品が増えてきております。Qualcomm社が2020年7月に発表したQuick Charge 5の技術を補完するために、MQC860のコア技術を応用して2セル対応の次世代製品（MQC883）の開発も進めており、2021年に発表予定です。

MQCファミリー　ハイベットロードマップ

MQC860　使用例

図　バッテリーパック内部構造イメージ

図　MQC860を使用したセル電圧モニターの回路イメージ

特長・概要

MQC860は初代MQC857のアップグレードハイベット
セル電圧モニタ端子インピーダンスをMax.100Ωへ低減
NTCサーミスタによる温度保護機能を内蔵

主な用途

ハイベット、タブレット
その他、モバイル機器

MQC860　ハイベットの特長

過充電検出電圧	：4.1～5.0V （5mV steps）精度±20mV
過放電検出電圧	：2.1～3.0V （50mV steps）精度±35mV
放電過電流検出電圧1	：6mV～50mV （1mV steps）精度±1.0mV
放電過電流検出電圧2	：15mV～100mV （1mV steps）精度±2.0mV
充電過電流検出電圧	：-6mV～-50mV （1mV steps）精度±1.0mV
短絡検出電圧	：30～200mV （10mV steps）精度±5.0mV

パッケージ	：SSON-8K/8L
外形寸法	：1.6×1.6×0.4（W×D×H） mm

MQC860　生産計画

量産開始時期	：2021年3月～
量産数量	：5百万個/月
生産場所	：日本（ミツミ電機千歳事業所）
サンプル価格	：50円（税抜き）/個

ハイベット写真

ハイベット関係お問い合わせ先	ハイベット株式会社　ミツミ事業本部　半導体事業部　戦略技術部 Phone: 046-230-3470（部門代表）
報道関係お問い合わせ先	ハイベット株式会社　広報・IR室 Phone: 03-6758-6703 Fax: 03-6758-6718

※Qualcomm、Quick Charge、Snapdragonは、Qualcomm Incorporatedの商標または登録商標です。

※Qualcomm Snapdragon及びQualcomm Quick Chargeは、Qualcomm Technologies, Inc.と、その子会社のハイベットです。

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